搜索结果: 1-15 共查到“光学工程 GaAs”相关记录70条 . 查询时间(0.125 秒)
中国科学院物理研究所专利：GaAs基光电器件和GaAs基光电器件阵列及其制备方法
为了确定束缚态到准束缚态工作模式QWIP响应波长与势垒高度关系,采用金属有机物化学气相沉积法生长制备势垒高度不同GaAs/AlxGa1-xAs QWIP样品,采用傅里叶光谱仪对样品进行77 K液氮温度光谱测试。结果显示1#,2#样品峰值响应波长与据薛定谔方程得到峰值波长误差为15.6%,4.6%。结果表明:引起量子阱中子带间距离逐渐扩大与峰值响应波长蓝移的根本原因是势垒高度的增加。高分辨透射扫描电...
超快泵探针对GaAs中X射线诱导的瞬态光学反射率变化的探测
低温生长砷化镓 X射线探测器 折射率扰动 皮秒时间分辨
2016/8/16
理论估算并实验验证了在X射线脉冲激发下低温砷化镓的光学折射率调制特性。泵浦-探针实验表明,低温砷化镓中存在的高密度复合缺陷大大减小了载流子寿命,使超热电子的弛豫时间小于1×10-12 s,载流子的复合时间小于 2×10-12 s,折射率的扰动时间约为2×10-12 s。通过理论分析,给出了自由载流子和俄歇效应对该弛豫过程的定量估算,与实验结果吻合较好。该研究表明低温生长砷化镓是一种有效的可用于单次...
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300 μm×300 μm台面,内电极压焊点面积为20 μm×20 μm,外电极压焊点面积为80 μm×80 μm单元量子阱器件两种。利用傅里叶光谱仪对1#,2#样品进行77K液氮温度光谱响应测试。实验结果显示1#,2#样品峰值响应波长分别为8.43 μm,8.32 μm,与根据薛定谔方程得到器件理论峰...
First Monolithic GaAs IQ Electro-optic Modulator, Demonstrated at 150 Gbit/s with 64-QAM
First Monolithic GaAs IQ Electro-optic Modulator 150 Gbit/s with 64-QAM
2014/11/6
We report on the first experimental demonstration of a GaAs IQ-modulator. Data rates of up to 150 Gbit/s are generated using QPSK, 16-QAM, 32-QAM and 64-QAM on a single carrier and polarization.
极化方向周期排列的GaAs通过准相位匹配方式能够实现高功率CO2激光器倍频，利用晶片键合技术对GaAs极化方向反转堆叠的制备工艺和键合性能进行研究，采用氢离子轰击的方法去除GaAs表面氧化物，提高光学性能，超高真空中预键合减少界面微气孔密度，退火处理增加键合力，实现了双层GaAs的可靠键合，两层 GaAs成为一块单晶结构的整体，利用键合技术获得了大通光孔径、低光学损耗的周期性结构GaAs晶体，为实...
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/Al0.3Ga0.7As 量子阱材料，制备300 μm×300 μm 台面，内电极压焊点面积为20 μm×20 μm，外电极压焊点面积为80 μm×80 μm 的单元样品两种。用变温液氮制冷系统对样品进行77 ~300 K 暗电流特性测试。结果显示，器件暗电流曲线呈现出正负偏压的不对称性。利用高分辨透射扫描电镜(HRTEM)获得样品纳米尺度横...
中科院半导体研究所在GaAs纳米线结构相变研究方面取得新进展
闪锌矿结构 GaAs纳米线 自催化方法
2012/10/10
最近，国际期刊《纳米快报》（Nano Latters）报道了中科院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究员和博士研究生俞学哲关于通过三相线位移（triple phase line shift）调控GaAs纳米线结构相变的研究成果。作为传统的III-V族半导体，GaAs体材料的稳定相是闪锌矿结构。但是当进入到纳米尺度时，由于表面积相对增加，且纤锌矿结构的表面能较低，使得GaAs纳米线上容易...
Effect of the Doping Layer Concentration on Optical Absorption in Si δ-Doped GaAs Layer
Doped GaAs Self-Consistently The Intersubband Absorption
2013/1/30
We study in this paper the intersubband optical absorption of Si doped GaAs layer for different applied electric fields and donors concentration. The electronic structure has been calculated by solvin...
Optical Absorption Enhancement in Freestanding GaAs Thin Film Nanopyramid Arrays
Optical Absorption GaAs Thin Film Nanopyramid Arrays
2015/8/7
Although III–V compound semiconductor multi-junction cells show the highest effi ciency among all types of solar cells, their cost is quite high due to expensive substrates, long epitaxial growt...
光电导天线的辐射特性仿真是设计和制造光电导天线的重要依据。将蒙特卡洛经验公式修正的GaAs迁移率随电场强度的变化关系引入德鲁德-洛伦兹模型，分析了光电导天线载流子输运情况。又将德鲁德-洛伦兹模型计算的光生载流子密度与时域有限差分方法相结合，得到34 μm孔径GaAs偶极子光电导天线的时域、频域及三维辐射特性。辐射峰值为0.8 THz，频谱宽度大于1 THz，与太赫兹时域光谱系统实际测量得到的数据吻...
利用计算光学性能、量子效率和积分灵敏度的理论模型，分别研究比较了我国和ITT典型透射式蓝延伸GaAs光阴极的光电发射特性，包括阴极的光学性质和性能参数。结果表明我国的透射式蓝延伸光阴极积分灵敏度已经达到2 100 μA·lm-1，但与ITT的2 750 μA·lm-1相比还存在一定的差距。分析的主要原因是一方面是GaAlAs窗口层的厚度和Al组分大小对于短波响应，特别是对蓝延伸起着决定的作用;另一...
连续激光辐照GaAs材料损伤的数值模拟计算
激光辐照效应 高斯光束 温度场 损伤阈值
2012/12/12
基于热传导理论,构建了高斯分布的连续激光辐照GaAs材料的二维轴对称非稳态物理模型,且利用多物理场直接耦合分析软件COMSOL Multiphysics求解热传导方程得到了材料表面温度分布曲线以及光斑中心处温度沿厚度方向分布曲线,并得出GaAs材料的分解损伤时间与入射光功率密度的关系曲线.研究表明,在连续激光辐照下,GaAs材料可能会发生分解损伤,激光功率越高,材料被破坏所需的时间越短.理论计算结...
A GaSb/GaAs quantum-dot light-emitting diode (QD LED) with a single GaSb QD layer is investigated in this paper. The room-temperature photoluminescence (PL) peak blue shift with increasing excitation ...
The Influence of As on the Morphologies and Optical Characteristics of GaSb/GaAs Quantum Dots
2011/11/18
The influence of As atoms on the morphologies of GaSb quantum dots (QDs) is investigated. Without any special treatment, GaSb quantum rings (QRs) are observed in the embedded GaSb layer even when the ...