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中国科学技术大学国家示范性微电子学院在GaN HEMT开关瞬态建模方向取得新进展（图）
GaN HEMT 开关 瞬态建模 IEEE Transactions on Power Electronics
2025/2/4
近日，我院杨树教授课题组在GaN HEMT开关瞬态建模研究中取得新进展。研究团队提出了一种基于动态栅极电容特性的p-GaN栅HEMT开关瞬态分析模型，可精准预测GaN HEMT在高速高压开关过程中的瞬态行为，相关成果以“An Efficient Switching Transient Analytical Model for P-GaN Gate HEMTs With Dynamic CG(VDS...
中国科学院苏州纳米所在增强型GaN HEMT器件研究方面取得新进展（图）
增强型 GaN HEMT器件 器件结构 刻蚀损伤 GaN
2017/2/16
由于GaN具有大禁带宽度、高电子迁移率、高击穿场强等优点，GaN HEMT成为新一代功率器件研究的热点。由于极化作用，AlGaN/GaN异质结界面会形成高浓度的二维电子气，浓度可达到1013/cm2量级，因此一般的GaN HEMT都是耗尽型器件。如何实现增强型GaN HEMT一直是该领域研究的难点，目前几种主要用来制备增强型器件的方案包括：p型栅、凹槽栅、F处理和Cascode结构。其中，p型栅的...