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中国科大在无掩膜深紫外光刻技术研究中取得新进展（图）
膜 集成电路 半导体
2024/12/5
2024年9月30日，中国科学技术大学微电子学院特任教授孙海定iGaNLab课题组开发了一种具有光能量自监测、自校准、自适应能力的三维垂直集成深紫外发光器件阵列，并将它们成功应用于新型无掩膜深紫外光刻技术中。该研究首次提出将深紫外微型发光二极管（micro-LED）阵列作为光源应用于无掩膜深紫外光刻技术。在被广泛应用于集成电路芯片制造的步进式光刻机技术之外，本技术提出利用每颗micro-LED具有...
HML3133厚膜混合集成电路（1999）
混合集成电路 厚膜集成电路
2008/10/30
HML3133厚膜电路用于EWSD局用交换机雷击保护电阻网络。其作用承受1000伏闪 电冲击，600伏电压感应220伏市电。电阻绝对精度不超过1.1欧，相对变化不超过0.5欧，性能指标达到德国西门子公司同类产品水平，可以替代国外同类产品。
HML3087厚膜混合集成电路
交换机 雷击保护 滤波 网络检测
2008/10/30
应用于大型数字程控交换机中的雷击保护、滤波、检测网络。可耐受1000V以上浪涌电压的冲击，且继续保持小于0.1的网络匹配精度。通过德国西门子和比利时贝尔公司的认证，达到国际先进水平，被评为97年度国家级重点新产品。
HG6101仪表放大器厚膜混合集成电路
集成电路 HG6101仪表
2008/10/30
HG6101是精密的厚膜集成仪表放大器, 专门用来放大电平信号。具有高线性度、高输入阻抗、高共模抑制比、低偏置电流、低失调电压、低噪声及平衡的差动输入、单端输出, 增益可通过外引线互联给出100、200及500 三档固定增益, 也可外加电阻决定( 既可粗又可微调等特点) 。该电路还具有能在温度波动大, 信噪比低的恶劣环境中及不便于反复较正的远距离装置中工作。
大规模集成电路膜厚标准样片的研制及应用
大规模集成电路 标准样品
2008/10/30
由中国华晶电子集团公司自行设计、研制的30-3500nm的SiO_2膜厚测量标准，已进入纳米级技术领域。该膜厚标准已成功用于国内多家半导体制造厂膜厚测量仪器的校准，示值准确可靠，效果良好，并且曾被江苏省技术监督局授予“1998年度科学技术进步一等奖”。目前，有一套膜厚标准已被中国计量科学院作为纳米级检测标准。