搜索结果: 1-15 共查到“p-GaN”相关记录199条 . 查询时间(0.095 秒)
近日，我院杨树教授和龙世兵教授课题组在垂直型GaN功率晶体管研究方向取得进展，实现了具有高反型沟道迁移率的垂直型GaN沟槽栅MISFET，相关研究成果以“Achieving 205 cm2V-1s-1 Inversion Channel Mobility in 1.4 kV Vertical GaN-on-GaN MISFET With Nitride Gate Dielectric”为题在202...
中国科学技术大学国家示范性微电子学院在GaN HEMT开关瞬态建模方向取得新进展（图）
GaN HEMT 开关 瞬态建模 IEEE Transactions on Power Electronics
2025/2/4
近日，我院杨树教授课题组在GaN HEMT开关瞬态建模研究中取得新进展。研究团队提出了一种基于动态栅极电容特性的p-GaN栅HEMT开关瞬态分析模型，可精准预测GaN HEMT在高速高压开关过程中的瞬态行为，相关成果以“An Efficient Switching Transient Analytical Model for P-GaN Gate HEMTs With Dynamic CG(VDS...
近日，我院杨树教授课题组在GaN功率电子器件浪涌特性研究中取得进展，自主研制出2 kV/0.45 mΩ·cm2双极型垂直GaN二极管，具有电导调制与优异的浪涌电流性能，相关成果以“Time-/Current-Dependent Surge Current Capability of Fully-Vertical GaN-on-GaN PiN Diode With Conductivity Modu...
中国科学院软件所提出新方法实现GAN模型性能提升（图）
模型性能 遥感 计算机
2024/9/20
2024年7月24日，软件所天基综合信息系统全国重点实验室研究团队的论文Intriguing Property and Counterfactual Explanation of GAN for Remote Sensing Image Generation被计算机视觉领域顶级期刊International Journal of Computer Vision（IJCV）接收。论文提出了一种新方法...
2024年7月5日，中国科学院微电子所高频高压中心GaN功率电子器件研发团队的2篇论文入选第36届功率半导体器件和集成电路国际会议（ISPSD），其中戴心玥博士的口头报告“An Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT withIsland-Ohmic p-GaN featuring stable thresholdvoltage and large gate swing”荣...
中国科学院半导体所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器（图）
紫外激光器 氮化镓基材料 电流
2024/4/22
氮化镓（GaN）基材料被称为第三代半导体，其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段，在光电子学领域有重要的应用价值。GaN基紫外激光器由于波长短、光子能量大、散射强等特点，在紫外光刻、紫外固化、病毒检测以及紫外通信等领域有重要的应用前景。但由于GaN基紫外激光器基于大失配异质外延材料技术制备而成，材料缺陷多、掺杂难、量子阱发光效率低、器件损耗大，是国际半导体激光器领域研究的难点，受到了国内外的极...
为了实现对氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT（gallium nitride high electron mobility transistor）高速开关带来的开通过压、误导通、开关振荡和EMI噪声等问题展开定量的仿真分析,提出了一种基于建模数据和最优化算法的门极增强型GaN HEMT电热行为模型建模方法。相比较于常规GaN HEMT行为模型,所提出的建模方法采用2个简单的建模公式实现了对G...
本发明涉及一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法，该方法采用选择GaN功率器件的低频噪声待测参数；确定GaN功率器件低频噪声测试的偏置条件；获得不同温度下待测参数的噪声功率谱密度；提取不同温度下的产生‑复合(G‑R)噪声；获得不同温度下G‑R噪声的峰值频率；基于G‑R噪声峰值中心频率及温度建立Arrhenius方程；基于Arrhenius方...
南方科技大学深港微电子学院方小虎课题组在TCAS-I和TCAS-II发表GaN MMIC功率放大器新成果（图）
方小虎 TCAS-I TCAS-II GaN MMIC 功率放大器 传输
2023/11/29
南方科技大学深港微电子学院助理教授方小虎团队在GaN MMIC高效率C波段F类功率放大器和高效率宽带毫米波功率放大器研究领域中取得进展。其中，高效率C波段F类功率放大器以“Design of a Highly Efficient Class-F GaN MMIC Power Amplifier Using a Multi-Function Bias Network and a Harmonic-I...
新型高K栅介质双沟道GaN基MOS-HEMT器件的栅极介质沉积工艺与电流坍塌效应的研究。
中国科学院金属研究所专利：基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及制备方法
中国科学院金属研究所专利：基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法
中国科学院微电子研究所专利：一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法