搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 电子科学与技术”相关记录4953条 . 查询时间(4.243 秒)
中国科学院可图案化及可修复有机高分子半导体研究取得进展（图）
有机高分子 半导体 器件
2025/5/20
有机高分子半导体的高分辨率精确图案化是构建有机电路的关键技术之一，通过图案化可以减少单元器件之间的干扰并提升器件稳定性。与此同时，修复特性能够有效解决有机高分子半导体因超出弹性极限而导致的机械变形、性能衰退问题，从而提升电子设备的可靠性和耐用性。将可图案化及可修复两种功能同时集成到有机高分子半导体中，有利于拓展有机高分子半导体在柔性电子器件中的应用前景。
中国科学院n型单组分光晶体管研究获进展（图）
晶体 神经 器件
2025/5/20
有机半导体材料的发展推动其在可穿戴电子、人工视觉与神经形态计算等前沿技术中的应用。随着新兴技术对光电器件提出更高要求，以异质结构为核心的光晶体管逐渐暴露出结构复杂、可重复性差、激子解离效率低、n型材料库有限等问题，难以适应高集成度与多功能化的发展趋势。相比之下，基于单组分活性层的光晶体管有望简化器件结构并实现高效的光电转换与类神经响应，能够为开发多功能有机光电子材料提供新思路。
中国科学院室温高效分子半导体自旋输运材料研究获进展（图）
分子 半导体 材料
2025/5/8
分子半导体通常由原子序数较低的轻元素组成，因此具有较弱的自旋-轨道耦合作用，且室温下自旋寿命的理论预测值超过毫秒量级，被学界认为是实现室温高效自旋输运和未来自旋运算应用的理想材料体系。尽管理论上可通过分子结构设计提高材料自旋寿命，但此前研究报道的分子半导体材料自旋寿命大多≤0.1μs，低于理论预测值，这一现象与对该类型材料的普遍认知相悖。
近日，哈尔滨工业大学深圳校区前沿学部材料科学与工程学院陈祖煌教授、魏军教授团队在压电单晶薄膜领域取得重要进展，研究成果以《基于自支撑铁电氧化物薄膜的超高功率密度柔性压电能量收集器》（Ultrahigh-power-density flexible piezoelectric energy harvester based on freestanding ferroelectric oxide thi...
中国科学院稀土掺杂氧化钛光催化分解水制氢取得突破（图）
催化 电解 半导体材料
2025/4/12
150年前，科幻大师凡尔纳预言，水将成为终极燃料。科学家一直努力发展能够将这一预言变为现实的各种可能的技术。其中包括通过阳光直接分解水获取氢气，这项被称为“光催化分解水”的技术属于低碳技术。
中国科学院研究提出新型平面型面发光有机发光晶体管器件结构（图）
有机 晶体管 器件结构
2025/4/13
有机发光晶体管作为集成电流放大功能和发光功能于一体的新型电致发光器件，被认为是开发下一代变革性显示技术的理想器件基元。窄光谱电致发光器件在广色域显示、光通信和光诊疗方面具有重要意义，对实现更逼真的图像、更大容量的数据传输和特殊医疗诊断等起到重要作用。通过设计合成窄光谱活性材料或引入特殊的光学设计，有机发光二极管可以降低半峰宽至20nm~40nm。然而，目前的有机发光晶体管的半峰宽值普遍集中在30n...
中国科学院物理研究所发现金属室温d波交错磁体KV2Se2O（图）
金属 半导体材料 电子
2025/4/17
作为一类新型磁性材料，交错磁体的核心特征在于零净磁化强度和动量依赖自旋劈裂的能带结构，突破了传统铁磁体与反铁磁体的分类框架。角分辨光电子能谱（ARPES）测量首先在半导体材料MnTe和MnTe2中观测到自旋劈裂的能带结构，实验上确认了交错磁体的存在。相比之下，金属性的交错磁体不仅为研究低能准粒子激发提供了独特的平台，同时在自旋电子学应用方面具有巨大潜力。
中国科学院长春光机所Bimberg中德绿色光子学研究中心团队在高速低功耗垂直腔面发射激光器（VCSEL）研究领域取得重要进展，实现VCSEL在100 m长光纤下基于NRZ调制60Gb/s无误码传输速率，功耗98fJ/bit@50Gb/s、168fJ/bit@60Gb/s，指标达同类型器件国际先进水平。相关成果发表于Applied Physics Letters 126, 091101 (2025)...
新型智能测温系统在南京工程金陵项目成功应用
智能测温系统 中国石化 混凝土
2025/4/8
“基础中心位置混凝土升温速度较快，请采取相应的温控措施，确保浇筑质量。”2025年3月6日，在南京工程公司金陵加氢项目现场，施工人员通过大体积混凝土智能测温系统实时监控着T-203混凝土基础的温度变化。项目质量经理高成新表示：“系统显示各项数据符合标准，结构安全性得到充分保障。”这标志着新型智能测温系统在该项目成功应用。
中国科学院物理研究所单一手性密排碳纳米管阵列制备取得突破（图）
纳米 电子 器件
2025/3/26
碳纳米管于1991年首次被实验发现，其电子迁移率远超硅，被视为未来电子器件的理想沟道材料之一，有望推动下一代计算机芯片的革新。在实际芯片应用中，需要将大量结构完全相同的半导体性碳纳米管以高度有序的方式排列在一起，以提高器件的一致性和性能。然而，直接生长的碳纳米管手性结构随机、金属性和半导体性混杂、排列混乱，严重制约了碳纳米管在集成电路中的应用。诺贝尔奖得主Richard E. Smalley教授曾...
中国科学院上海硅酸盐所在单一铁电陶瓷片表面开发出全光控五态逻辑门器件（图）
硅酸盐 陶瓷 器件
2025/3/25
多功能一体化的光电逻辑门（OLEGs）可以快速实现信息处理和传输，在通讯技术、人工智能和计算系统等领域具有显著的潜力。具有差异性光电响应的光电探测器是OLEGs中的重要组成部分。传统的半导体光电探测器通常需要构建异质结构或结合多种光-电输入形式才能实现差异化光电响应，增加了器件设计的复杂性。铁电材料是一种具有自发极化并且自发极化可随外电场重新取向的功能材料，光场作用下具有反常光伏效应和光致热释电效...
近期，中国科学院合肥物质院固体物理所孟国文、韩方明团队与美国特拉华大学魏秉庆教授合作，在Science China Technological Sciences发表论文，首次提出基于“Y”分枝多级孔结构的三维互连碳管网格膜电极，将滤波超级电容器的面积比电容进一步提升至3.6 mF cm-2（120 Hz），为小型滤波电容器的电极设计提供了新方案。
中国科学院化学研究所于萍课题组在离子选择性忆阻器研究方面取得新进展（图）
于萍 离子 电路 元件
2025/3/26
忆阻器（Memristor）是一种具有记忆功能的非线性电阻器，继电阻、电容和电感之后的第四种基本电路元件，1971年从理论上预言，并在2008年首次实现。忆阻器作为一种仿神经器件，在类脑计算、脑机接口等领域具有巨大潜力。
中国科学院长春光机所优化并制备出高亮度HiBBEE非均匀波导半导体激光器（图）
半导体 激光器 光子
2025/4/21
高亮度半导体激光器在激光雷达等领域有着极其重要的应用。传统的半导体激光器面临垂直发散角大、椭圆光束输出、侧向模式多、光束质量差等难题，限制了高亮度半导体激光器的直接应用。
