搜索结果: 1-15 共查到“知识库 电子科学与技术”相关记录9542条 . 查询时间(3.547 秒)
西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心技术方向新型集成电路研制
技术方向 集成电路
2025/2/5
西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心主要负责开展宽禁带半导体单片集成电路芯片的工艺制备和功率集成匹配。逐步实现固态毫米波集成单片替代传统微波功率系统，有效提升探测系统分辨率、降低系统负载重量。
西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心技术方向功率器件研制
技术方向 功率器件
2025/2/5
西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心主要负责开展碳化硅基大功率器件和氮化镓基超大功率器件的工艺制备。基于目前技术积累，重点解决高端电力电子器件工程化的器件设计与制备的关键技术问题。
西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心技术方向射频器件研制
技术方向 射频器件
2025/2/5
西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心主要负责开展氮化镓基微波毫米波器件的工艺制备。根据目前技术积累，重点解决宽禁带半导体5G毫米波通信、射频固态器件与电路集成化关键技术问题。
人工智能视觉芯片（图）
人工智能 视觉芯片
2024/10/29
传统多数视觉图像传感器和处理器是分离的，传感器和处理器之间必须通过大规模数据交互才能完成信息处理，这限制了处理的时效性。项目组提出一种将图像传感器和处理器一体化集成的智能视觉芯片设计方案，实现了仿人类视觉系统成像和处理功能，处理和响应速度可达到1000fps，图像传感器的分辨率为256×256。该项目研制的多级并行处理视觉芯片是面向高速图像目标检测、识别、追踪应用的图像处理芯片。该芯片采用了多层次...
氮化镓基微电子材料与器件（图）
氮化镓基 微电子 材料 器件
2024/10/29
氮化镓（GaN）基微电子材料与器件属于战略性先进电子材料与核心电子器件领域，可广泛应用于5G通讯、新能源汽车、高铁、智能电网、消费电子等新一代信息产业的发展，具有重大应用前景和市场潜力，也是目前国家重点扶持和发展的战略核心科技与产业领域。半导体研究所是国内最早开展GaN基微电子材料研发的单位，并一直在该领域起着引领、示范和带动作用。经过二十余年的自主创新，在GaN基微电子材料与器件领域取得了多项重...
一种热电器件测试系统及方法（图）
热电器件 测试系统
2024/10/29
本发明涉及一种热电器件测试系统及方法。该系统包括：外壳与真空法兰形成密闭空间；机械台架置于密闭空间内，固定于真空法兰的上表面；冷却结构置于机械台架的一侧；冷却结构与真空法兰上的冷却剂流道通过胶管连接；加热结构置于机械台架的另一侧；加热结构通过真空法兰上的通信接口与温度控制器连接；温度采集模块与冷却结构和加热结构连接；当热电器件为热电制冷器件时，冷却结构与热电器件连接，电流源和电压采集模块与热电器件...
一种散热功率模块（图）
散热 功率模块
2024/10/29
本发明公开一种陶瓷覆铜电路板及其制备方法。所述方法首先采用丝网印刷工艺在陶瓷基片表面印制一层活性金属焊接层；再在所述活性金属焊接层表 面制备具有不同厚度的金属铜箔；然后采用光刻工艺在所述金属铜箔上刻蚀出电路图形，形成所述陶瓷覆铜电路板。由于本发明采用活性钎焊技术直接获得具有不同金属层厚度的陶瓷覆铜电路板，因此可以避免高功率电力电子模块器件双面封装时需要焊接一层金属垫高层的做法，从而可以避免高温焊料...
一种陶瓷覆铜电路板及其制备方法（图）
陶瓷覆铜 电路板
2024/10/29
本发明公开一种陶瓷覆铜电路板及其制备方法。所述方法首先采用丝网印刷工艺在陶瓷基片表面印制一层活性金属焊接层；再在所述活性金属焊接层表面制备具有不同厚度的金属铜箔；然后采用光刻工艺在所述金属铜箔上刻蚀出电路图形，形成所述陶瓷覆铜电路板。由于本发明采用活性钎焊技术直接获得具有不同金属层厚度的陶瓷覆铜电路板，因此可以避免高功率电力电子模块器件双面封装时需要焊接一层金属垫高层的做法，从而可以避免高温焊料难...
现场总线集成电路设计技术转化（图）
现场总线 集成电路 技术转化
2024/10/29
核心技术：低功耗设计，波形整形技术。成果体现形式：核心部件。技术成熟度：成品已批量应用。成果领先性：核心指标达到国际技术同等水平。