搜索结果: 1-15 共查到“工程与技术科学基础学科 石墨”相关记录37条 . 查询时间(0.12 秒)
本发明涉及一种石墨基底上生长不同结构烷氧基铜酞菁单分子薄膜的方法，该方法中烷氧基铜酞菁为八辛氧基铜酞菁，将其溶解在有机溶剂甲苯中，配制成溶液，然后将溶液滴加到干净的高定向裂解石墨基底上，温度25℃-55℃下溶剂挥发后得到生长在石墨表面上的含两种晶型结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜；而通过控制溶剂挥发温度60℃、或室温25℃下溶剂挥发后再通过温度75℃-80℃退火处理，可控制得到具有单一晶型结构的八辛...
本发明涉及一种在石墨基底上构筑金属有机框架薄膜的方法，该方法首先采用在石墨基底上由4,4’?二十四基?2,2’?联吡啶通过分子自组装法得到晶型结构Ⅰ的自组装膜，然后，分别采用醋酸锌和醋酸铜溶液，用原位滴加的方法得到晶型结构Ⅱ和晶型结构Ⅲ的金属有机框架薄膜，所用的4,4’?二十四基?2,2’?联吡啶溶液的浓度低；所用的高定向裂解石墨是由石墨烯层堆叠的，表面平整，用透明胶带按在表面剥离即可得到干净的石...
本发明涉及一种超疏水三维石墨烯膜的制备方法，该方法利用在氧化石墨烯溶液中加入聚苯乙烯微球，然后经抽滤成膜；通过蒸汽加热还原法得到三维石墨烯膜材料；以磁控溅射技术对三维石墨烯膜材料进行喷金处理，利用硫醇修饰后，得到超疏水三维石墨烯膜材料。本发明的制备方法简单，能在室温下快速制备超疏水三维石墨烯膜材料，所获得的超疏水三维石墨烯膜材料具有良好的超疏水性能、密度低，力学性能优异，吸油倍率高等优点，在油水分...
中国科学院金属研究所专利：一种热等静压用石墨金属包套的制备装置
中国科学院金属研究所 专利 热等静压 石墨金属包套
2023/12/18
本发明涉及高性能石墨密封材料的制备技术,具体为一种热等静压用石墨金 属包套的制备装置。该装置设有石墨柱、金属棒、石墨垫片、金属垫片、石墨坩 埚盖、石墨坩埚、浇铸口,石墨坩埚内装有石墨柱,石墨柱下表面隔一金属垫片 与石墨坩埚底接触,石墨柱上表面和侧面留有用于填充金属的间隙,石墨柱上表 面与石墨坩埚顶部设置的石墨坩埚盖之间插设有金属棒,石墨柱上表面设有石墨 垫片,该石墨垫片上表面顶设有金属棒,石墨坩埚...
中国科学院金属研究所专利：一种石墨烯薄膜场发射材料的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 石墨烯 薄膜场 发射材料
2023/11/8
本发明涉及场发射电子材料领域,特别提供了一种石墨烯薄膜场发射材料的制备方法。该方法包括：(1)采用超声方法将石墨烯与可以提供电荷的金属阳离子无机盐均匀分散在极生较低的有机溶剂中,或将石墨烯直接分散在离子型表面活性剂的水溶液中,制备出稳定的带电荷的石墨烯溶液；(2)在外加电场作用下,利用电泳沉积方法将带有电荷的石墨烯有序沉积在导电基板上,制备出石墨烯薄膜。本发明场发射材料为均匀致密、由富含垂直于表面...
中国科学院金属研究所专利：一种大尺寸单晶石墨烯及其连续薄膜的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 单晶石墨烯 连续薄膜
2023/9/11
本发明涉及石墨烯的制备技术,具体为一种大尺寸单晶石墨烯及其连续薄膜的制备方法,适用于大尺寸单晶石墨烯及其连续薄膜的制备。采用化学气相沉积技术,以铜、铂等金属为生长基体,以碳氢化合物为碳源,在含有氢气的载气存在的情况下,先对金属基体进行热处理,然后利用碳源气体高温下在金属基体表面催化裂解,通过控制氢气、碳源浓度和生长温度,生长大尺寸单晶石墨烯,通过延长生长时间,制备由大尺寸单晶石墨烯晶粒拼接成的连续...
中国科学院金属研究所专利：一种高质量石墨烯的分散和薄膜制备方法
中国科学院金属研究所 专利 高质量石墨烯 分散 薄膜制备
2023/8/28
中国科学院金属研究所专利：一种高质量石墨烯的分散和薄膜制备方法
中国科学院金属研究所专利：一种以石墨烯为导电剂的复合导电薄膜及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 石墨烯 导电剂 复合导电薄膜
2023/8/17
中国科学院金属研究所专利：一种以石墨烯为导电剂的复合导电薄膜及其制备方法
中国科学院金属研究所专利：氧化石墨烯／石墨烯叠层透明导电薄膜及其制备和应用
中国科学院金属研究所专利：柔性锂离子电池黑磷纳米片-石墨烯复合薄膜负极及制备
中国科学院金属研究所专利：一种松香树脂转移石墨烯的方法及石墨烯透明导电薄膜的制备与应用
中国科学院化学研究所专利：金纳米粒子/石墨炔复合膜及其制备方法与应用
中国科学院化学研究所 专利 金纳米粒子 石墨炔 复合膜
2023/7/20
中国科学院化学研究所专利：金纳米粒子/石墨炔复合膜及其制备方法与应用
中国科学院上海应用物理研究所专利：一种胺基增强石墨烯膜、氮掺杂石墨烯膜及其制备方法
中国科学院上海应用物理研究所专利：一种胺基增强石墨烯膜、氮掺杂石墨烯膜及其制备方法