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基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体材料的薄膜晶体管
薄膜晶体管 氧化锌 氧化铟 氧化钛
2014/3/28
在室温下制备了基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体的薄膜晶体管,氧化物沟道层中In、Zn、Ti的摩尔比为49 ∶ 49 ∶ 2。所制备的器件场致迁移率达到9.8 cm2/V·s,开关比大于105,亚阈值摆幅0.61 V/dec。和未掺Ti器件的比较表明,掺Ti能使器件阈值正向变化,对场致迁移率也有提高作用。
“Ni–Zn铁氧体颗粒–光刻胶”覆盖的 片上射频电感
铁氧体 电感 射频集成电路
2014/5/15
报道了采用新型“纳米颗粒–光刻胶”混合旋涂技术制作的片上射频Ni-Zn铁氧体磁膜微电感。成相良好的Ni0.3Zn0.6Cu0.1Fe2O4铁氧体纳米颗粒在光刻胶中均匀混合，再将该混合物涂覆在螺旋电感线圈上，实现电感性能的提升。这种新型低温工艺避免了常规制作铁氧体器件方法带来的高温处理（>600°C）对集成电路的破坏。与无磁膜覆盖样品对比，铁氧体覆盖电感的电感量在0.1-4GHz提升了14-27%。...
Electron Diffraction Study on Fe- - Zn Γ intermetallic Phase of a Galvannealed IF Steel Sheet
2007/7/28
期刊信息
篇名
Electron Diffraction Study on Fe- - Zn Γ intermetallic Phase of a Galvannealed IF Steel Sheet
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
余金山,刘俊亮,张津徐,吴建生
第一作者单位
刊物名称
Materials Transactions
页面
2005，46：1079-1082
出版日期
200...
砷化镓气相外延中Zn的行为和微光材料的制备
砷化镓气相外延 掺Zn的GaAs 砷化镓光阴极材料
2009/12/29
在Ga-AsCl3-H2系统中用金属Zn为掺杂剂,研究了气相外延GaAs时Zn的掺入和行为。GaAs中Zn的分配系数和空穴浓度分别为10和大于1020cm-3,它们都比掺Cd的GaAs大2—3个数量级。这保证了用以制备光阴极材料所需的高空穴浓度的p-GaAs。结合掺Zn和掺s,已重复制得界面良好的p-n结构材料。