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西安电子科技大学微电子封装技术课件 混合集成厚膜技术。
在圆片级封装电镀铜重布线工艺中通常使用退火的方法促进铜晶粒生长、使电阻减小.而作为电镀铜种子层的溅射铜表面存在的微小裂纹通常会造成电镀液无法进入,从而使电镀铜和溅射铜界面出现孔铜,这类界面缺陷将影响后续高温退火过程中铜晶粒的生长,并导致电镀铜电阻增大.为研究此问题,本文尝试在电镀铜前轻微腐蚀溅射铜种子层,使裂纹尺寸变大,电镀液得以进入裂纹,并电镀填充裂纹形成无孔洞的电镀铜;此外若在电镀铜后在电镀铜...
Applied Centura Tetra X先进掩膜版刻蚀系统是业界唯一的能够满足22nm及以下最具挑战性的器件层掩膜版刻蚀需求的系统,这套系统由应用材料公司业内标准的Tetra III平台扩展而成,在所有的特征尺寸上突破了2nm的CD均匀性的壁垒。
杜邦电子科技事业部旗下晶圆级封装解决方案(Wafer Lavel Packaging Solutions)推出DuPont PerMX 3000感光型介电干膜光阻( PerMX 3000 photodielectric)。这是杜邦首度推出的新一系列永久性高解析能力并具有低温制程能力的环氧树脂光阻,特别适合用于3D及直通硅晶穿孔(3D/TSV)、晶圆级封装(WLP)以及微机电(MEMS)的用途上。这...
东京工业大学角岛邦之副教授等的研究小组,成功实现了high-k栅极绝缘膜的薄型化,并实验证实使用该栅极膜的MOSFET可正常工作。换算成硅氧化膜(SiO2)的等价膜厚EOT(equivalent oxide thickness)减到了0.37nm。将作high-k栅极绝缘膜的氧化镧(La2O3)与Si底板直接粘合而成。由此,可望实现CMOS晶体管的高性能和低耗电。

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