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西安电子科技大学微电子封装技术课件 混合集成厚膜技术。
掩膜电镀法制备圆片级封装重布线中孔洞形成机理研究
电镀铜 孔洞 退火
2017/1/16
在圆片级封装电镀铜重布线工艺中通常使用退火的方法促进铜晶粒生长、使电阻减小.而作为电镀铜种子层的溅射铜表面存在的微小裂纹通常会造成电镀液无法进入,从而使电镀铜和溅射铜界面出现孔铜,这类界面缺陷将影响后续高温退火过程中铜晶粒的生长,并导致电镀铜电阻增大.为研究此问题,本文尝试在电镀铜前轻微腐蚀溅射铜种子层,使裂纹尺寸变大,电镀液得以进入裂纹,并电镀填充裂纹形成无孔洞的电镀铜;此外若在电镀铜后在电镀铜...
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22nm光刻的掩膜版刻蚀系统.doc(图)
光刻 蚀系统
2011/10/31
Applied Centura Tetra X先进掩膜版刻蚀系统是业界唯一的能够满足22nm及以下最具挑战性的器件层掩膜版刻蚀需求的系统,这套系统由应用材料公司业内标准的Tetra III平台扩展而成,在所有的特征尺寸上突破了2nm的CD均匀性的壁垒。
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杜邦推出PerMX 3000感光型干膜介电材料 用于TSV、WLP及MEMS(图)
感光型干膜 TSV WLP MEMS
2011/11/1
杜邦电子科技事业部旗下晶圆级封装解决方案(Wafer Lavel Packaging Solutions)推出DuPont PerMX 3000感光型介电干膜光阻( PerMX 3000 photodielectric)。这是杜邦首度推出的新一系列永久性高解析能力并具有低温制程能力的环氧树脂光阻,特别适合用于3D及直通硅晶穿孔(3D/TSV)、晶圆级封装(WLP)以及微机电(MEMS)的用途上。这...