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中国科学院微电子研究所专利：一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法
中国科学院微电子研究所专利：一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法
二维 (2D) 材料，特别是石墨烯和氮化物的异质集成，为半导体器件提供了新的机遇，在制备柔性可穿戴设备，以及可转移电子和光子器件领域有广泛的应用前景。由于石墨烯表面自由能低，氮化物在石墨烯表面不易成核，采用等离子体预处理或者生长缓冲层的方法难以获得高质量的单晶氮化物。最近，一种新的外延技术——远程外延有望解决这一难题。该技术是利用石墨烯的“晶格透明性”，衬底和外延层产生远程的静电相互作用，通过这种...
化学气相沉积（CVD）是生长大面积高质量石墨烯的有效方法之一。在石墨烯的CVD生长过程中，需要使用金属催化剂，石墨烯需要转移才能构筑电学器件，与当前的半导体加工工艺不兼容，同时转移会造成石墨烯的褶皱、破损和降低其电学性能。如能在绝缘衬底上实现石墨烯的无金属催化生长，那就不需要转移可直接构筑电学器件。但是，不同于多数金属基底上的自限制生长方式，石墨烯在绝缘基底上的CVD生长常常会伴随有生长速度慢与重...
最近，中国科学院半导体研究所照明研发中心与北京大学纳米化学研究中心、北京石墨烯研究院刘忠范团队合作，开发出了石墨烯/蓝宝石新型外延衬底，并提出了等离子体预处理改性石墨烯，促进AlN薄膜生长实现深紫外LED的新策略。通过DFT计算发现，等离子体预处理向石墨烯中引入的吡咯氮，可以有效促进AlN薄膜的成核生长。在较短的时间内即可获得高品质AlN薄膜，其具有低应力、较低的位错密度，深紫外LED器件表现出了...
中国科学院大连化物所石墨烯基电容器研究取得新进展（图）
中国科学院大连化物所 石墨烯基电容器 二维材料 能源器件 集成电路
2017/2/16
近日，中科院大连化物所吴忠帅研究员带领二维材料与能源器件研究团队和包信和院士团队在柔性化、平面化、集成化的全石墨烯基超级电容器研究方面取得新进展，实现了在一个基底上制造具有任意形状的超级电容器及其模块化集成，相关的研究成果发表在美国化学会纳米期刊上。超薄、超轻、柔性化、非常规形状微纳电子器件的快速发展，对与之配套的微纳能源系统提出了更高的要求。传统储能器件，如锂离子电池、超级电容器，形状单一，尺寸...
中国科学院半导体研究所等在转角多层石墨烯的呼吸层间耦合研究中获进展（图）
半导体 石墨烯 拉曼光谱
2015/6/26
以石墨烯为代表的二维材料具有优良的电学性能和光学性能，因此被期待可用来发展更薄、导电速度更快的新一代电子元件、晶体管和光电器件。将石墨烯堆叠起来可以得到多层石墨烯。除了具有和体石墨相同的Bernal堆垛(即AB堆垛)方式的多层石墨烯之外，还可以在实验室制备或者合成出不同石墨烯片层取向随机的多层石墨烯，即转角多层石墨烯。转角多层石墨烯内各子系统的层数不同和各子系统间旋转角度的不同将使得其具有无限多的...
半导体所发现可鉴别多层石墨烯层数多达100层的新方法（图）
多层石墨烯 新方法
2015/4/22
石墨烯是由单层碳原子紧密堆积成二维蜂窝状晶格结构的一种碳质新材料。由于其独特的二维结构和优异的晶体学质量，石墨烯蕴含了丰富而新奇的物理现象，使其迅速成为凝聚态物理领域近年来的研究热点之一。单层石墨烯可以逐层按不同方式堆垛成多层石墨烯，每一种多层石墨烯材料都显示出独特的电子能带结构和物理特性。确定多层石墨烯的层数对于研究此类材料的物理性质和它们在半导体器件方面的应用有重要意义。目前，英国、美国、韩国...
中国科学院半导体研究所多层转角石墨烯的层间耦合研究获进展（图）
半导体 多层转角石墨烯 层间耦合
2014/11/14
石墨烯具有优良的电学性能和光学性能，因此被期待可用来发展更薄、导电速度更快的新一代电子元件、晶体管和光电器件。将石墨烯堆叠起来可以得到多层石墨烯。除了具有和体石墨相同的Bernal堆垛(即AB堆垛)方式的多层石墨烯之外，还可以在实验室制备或者合成出不同石墨烯片层取向随机的多层石墨烯-多层转角石墨烯。堆垛方式的差异有可能导致石墨烯片层不同的层间耦合，从而影响其电子能带结构。因此不同层数的多层转角石墨...
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所开发出超薄高质量石墨烯粉体（图）
纳米技术 纳米仿生 高质量 石墨烯粉体
2014/7/17
高质量薄层石墨烯具有接近石墨烯的本征导电、导热等优异性能，其规模化制备一直是石墨烯行业的巨大挑战。中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所石墨烯制备团队一直致力于开发高质量薄层石墨烯规模化制备技术，在高质量薄层石墨烯制备方面积累了深厚的技术，取得了高质量石墨烯的层间催化解离制备、电化学插层解理制备、高密度三维石墨烯及层数可控石墨烯制备等技术突破 (Scientific Reports 3, 1134...
中国科学院半导体研究所通过扭曲石墨烯成功诱导贋磁场和谷电流（图）
扭曲石墨烯 贋磁场 谷电流
2014/3/17
石墨烯电子结构最重要的特点之一是具有被称为“谷”（valley）自旋的二重自由度。如何在石墨烯体系中实现“谷”自旋极化流一直是近些年石墨烯基础研究领域的一个重要目标。人们期望对“谷”自旋自由度进行量子操控，使之能应用于未来的信息技术。
据物理学家组织网近日报道，美国科学家研制出了一种新的集成电路架构并做出了模型。在这一架构内，晶体管和互连设备无缝地结合在一块石墨烯薄片上。发表在《应用物理快报》杂志上的这项最新研究将有助于科学家们制造出能效超高的柔性透明电子设备。
中国首次实现锗基石墨烯大规模生长
中国 锗基石墨烯大规模生长 化学气相淀积法
2013/8/29
2013年8月28日，中国科学院上海微系统所获悉，该所信息功能材料国家重点实验室SOI课题组与超导课题组，采用化学气相淀积法，在锗衬底上直接制备出大面积、均匀的、高质量单层石墨烯。相关成果日前发表于《自然》杂志子刊《科学报告》。
【中国科学报】石墨烯产业化的中国机会（图）
【中国科学报】 石墨烯l产业化 中国机会
2013/5/16
在石墨烯研究领域，我国正和发达国家同处于起跑阶段，如果错失这个机会，等几年后国外已经实现了产业化，我们再去做，无疑又将重复研发领先、产业落后的老故事。
有远见的企业和投资者正给予石墨烯密切关注。